Продукція > VISHAY > SIHFR110TRL-GE3

SIHFR110TRL-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR110TRL-GE3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W, Case: DPAK; TO252, Mounting: SMD, Power dissipation: 25W, Pulsed drain current: 17A, Gate charge: 8.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 2.7A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.54Ω, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHFR110TRL-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHFR110TRL-GE3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.54Ω
товар відсутній