Технічний опис SIHFR420ATR-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W, Mounting: SMD, Case: DPAK; TO252, Power dissipation: 83W, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 10A, On-state resistance: 3Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 2.1A, Drain-source voltage: 500V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHFR420ATR-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHFR420ATR-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Power dissipation: 83W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 10A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 2.1A Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHFR420ATR-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET |
товар відсутній |
|
| SIHFR420ATR-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Power dissipation: 83W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 10A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 2.1A Drain-source voltage: 500V |
товар відсутній |