Продукція > VISHAY > SIHFR9014TR-GE3

SIHFR9014TR-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR9014TR-GE3 VISHAY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -3.2A, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 25W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHFR9014TR-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR9014TR-GE3 SIHFR9014TR-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9014TR-GE3 Виробник : VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.