Продукція > VISHAY > SIHLZ24L-GE3

SIHLZ24L-GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHLZ24L-GE3 VISHAY

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 68A, Power dissipation: 60W, Case: I2PAK; TO262, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: THT, Gate charge: 18nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHLZ24L-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SIHLZ24L-GE3	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SIHLZ24L-GE3	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.