SIRA00DP-T1-GE3. VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3. - MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 104W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 830
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3. - MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 104W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 830
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead
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Технічний опис SIRA00DP-T1-GE3. VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3. - MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 104W, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 100, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: -, Verlustleistung Pd: 104, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 830, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 2.2, SVHC: Lead.