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SK 150 GD 066 T SEMIKRON



Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SK 150 GD 066 T - IGBT Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Press Fit
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 600
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 70
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Half Bridge
Wandlerpolarität: -
DC-Kollektorstrom: 151
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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Технічний опис SK 150 GD 066 T SEMIKRON

Description: SEMIKRON - SK 150 GD 066 T - IGBT Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175, IGBT-Anschluss: Press Fit, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 600, Verlustleistung Pd: -, Bauform - Transistor: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800, Anzahl der Pins: 70, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Half Bridge, Wandlerpolarität: -, DC-Kollektorstrom: 151, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).