Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SK 60 GB 125 24910770
SK 60 GB 125 24910770

SK 60 GB 125 24910770 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9BE9CABA0D67E0D6&compId=SK60GB125.pdf?ci_sign=41541ce347cebda6f20f920e10b41fd9f094abf0 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITOP3
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6272.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SK 60 GB 125 24910770 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Pulsed collector current: 100A, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Collector current: 50A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SEMITOP3, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SK 60 GB 125 24910770 за ціною від 7527.18 грн до 7527.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SK 60 GB 125 24910770 SK 60 GB 125 24910770 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9BE9CABA0D67E0D6&compId=SK60GB125.pdf?ci_sign=41541ce347cebda6f20f920e10b41fd9f094abf0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITOP3
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7527.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.