Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SK 75 GBB 066 T 24914760

SK 75 GBB 066 T 24914760 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9BE7C62DEC0E00D6&compId=SK75GBB066T.pdf?ci_sign=040199eeb7b59f30bf3fbafb9da811f99c19d888 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITOP3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SK 75 GBB 066 T 24914760 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 150A, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SEMITOP3, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SK 75 GBB 066 T 24914760

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SK 75 GBB 066 T 24914760 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9BE7C62DEC0E00D6&compId=SK75GBB066T.pdf?ci_sign=040199eeb7b59f30bf3fbafb9da811f99c19d888 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITOP3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.