Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SK25GD12T4ETE1 24921440

SK25GD12T4ETE1 24921440 SEMIKRON DANFOSS


SK25GD12T4ETE1.pdf Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: SEMITOPE1
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SK25GD12T4ETE1 24921440 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A; screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge OE output; thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 25A, Case: SEMITOPE1, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 75A, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SK25GD12T4ETE1 24921440

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SK25GD12T4ETE1 24921440 Виробник : SEMIKRON DANFOSS SK25GD12T4ETE1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: SEMITOPE1
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.