SKIIP 12NAB12T4V1 25231440 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Electrical mounting: Press-Fit
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.6kV
Pulsed collector current: 45A
Power: 5.5kW
Case: MiniSKiiP® 1
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3498.06 грн |
| 3+ | 2869.12 грн |
| 10+ | 2579.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKIIP 12NAB12T4V1 25231440 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw, Electrical mounting: Press-Fit, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Max. off-state voltage: 1.6kV, Pulsed collector current: 45A, Power: 5.5kW, Case: MiniSKiiP® 1, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SKIIP 12NAB12T4V1 25231440 за ціною від 3095.08 грн до 4197.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SKIIP 12NAB12T4V1 25231440 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw Electrical mounting: Press-Fit Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.6kV Pulsed collector current: 45A Power: 5.5kW Case: MiniSKiiP® 1 Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|