Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKIIP 23NAB126V1 25230060
SKIIP 23NAB126V1 25230060

SKIIP 23NAB126V1 25230060 SEMIKRON DANFOSS


SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Power: 7.5kW
Case: MiniSKiiP® 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 31A
Pulsed collector current: 50A
на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4409.79 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKIIP 23NAB126V1 25230060 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A, Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Power: 7.5kW, Case: MiniSKiiP® 2, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 31A, Pulsed collector current: 50A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKIIP 23NAB126V1 25230060 за ціною від 5291.75 грн до 5291.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SKIIP 23NAB126V1 25230060 SKIIP 23NAB126V1 25230060 Виробник : SEMIKRON DANFOSS SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Power: 7.5kW
Case: MiniSKiiP® 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 31A
Pulsed collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5291.75 грн