SKIIP 24NAB12T4V1 25231420 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Electrical mounting: Press-Fit
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 105A
Power: 11kW
Case: MiniSKiiP® 2
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7404.35 грн |
| 3+ | 6095.01 грн |
| 8+ | 5463.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKIIP 24NAB12T4V1 25231420 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw, Electrical mounting: Press-Fit, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Collector current: 35A, Gate-emitter voltage: ±20V, Max. off-state voltage: 1.2kV, Pulsed collector current: 105A, Power: 11kW, Case: MiniSKiiP® 2, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SKIIP 24NAB12T4V1 25231420 за ціною від 6555.85 грн до 8885.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SKIIP 24NAB12T4V1 25231420 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Electrical mounting: Press-Fit Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 35A Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 105A Power: 11kW Case: MiniSKiiP® 2 Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|