Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKIIP 25NEB066V1 25232400

SKIIP 25NEB066V1 25232400 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9CAEDA05A698A0D6&compId=SKIIP25NEB066V1.pdf?ci_sign=15e9c9ac55821dee5e4149ab40bd290989c95e52 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: MiniSKiiP® 2
Power: 4kW
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKIIP 25NEB066V1 25232400 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 60A, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit, Mechanical mounting: screw, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Case: MiniSKiiP® 2, Power: 4kW, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKIIP 25NEB066V1 25232400

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKIIP 25NEB066V1 25232400 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9CAEDA05A698A0D6&compId=SKIIP25NEB066V1.pdf?ci_sign=15e9c9ac55821dee5e4149ab40bd290989c95e52 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: MiniSKiiP® 2
Power: 4kW
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.