SKIIP35NAB12T4V1 модуль IGBT Semicron

Виробник: Semicron
Корпус: 81,4x58,5x15,8 mm
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 1,85 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 69 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 56 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 60/370