Технічний опис SKM100GAL123D
- IGBT Module
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Collector Current, Ic:100A
- Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):3V
- Package/Case:D62
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:1200V
Інші пропозиції SKM100GAL123D
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SKM100GAL123D | Виробник : Semikron |
![]() |
товару немає в наявності |