Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKM100GB12V 22892023
SKM100GB12V 22892023

SKM100GB12V 22892023 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59492D08F04C80469&compId=SKM100GB12V.pdf?ci_sign=19da5cde7c8ad60f9830799939b1a7b714995d36 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6331.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM100GB12V 22892023 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SEMITRANS2, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 300A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Topology: IGBT half-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKM100GB12V 22892023 за ціною від 7598.22 грн до 7598.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM100GB12V 22892023 SKM100GB12V 22892023 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59492D08F04C80469&compId=SKM100GB12V.pdf?ci_sign=19da5cde7c8ad60f9830799939b1a7b714995d36 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7598.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.