
SKM150GAL12T4 22892300 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 179A
Pulsed collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5600.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM150GAL12T4 22892300 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 179A, Pulsed collector current: 450A, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Topology: boost chopper, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SEMITRANS2, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SKM150GAL12T4 22892300 за ціною від 6720.63 грн до 6720.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SKM150GAL12T4 22892300 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 179A Pulsed collector current: 450A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper Type of semiconductor module: IGBT Case: SEMITRANS2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|