Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKM200GAL126D 22890472

SKM200GAL126D 22890472 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9BE382F2045600D6&compId=SKM200GAL126D.pdf?ci_sign=96fc22325355d5888e122d7beca931e855b9c4c7 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM200GAL126D 22890472 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 300A, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Topology: boost chopper, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SEMITRANS3, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKM200GAL126D 22890472

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM200GAL126D 22890472 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9BE382F2045600D6&compId=SKM200GAL126D.pdf?ci_sign=96fc22325355d5888e122d7beca931e855b9c4c7 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.