
SKM200GAL17E4 22895110 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 248A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1170A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8326.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM200GAL17E4 22895110 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.7kV, Collector current: 248A, Case: SEMITRANS3, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 1170A, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SKM200GAL17E4 22895110 за ціною від 9991.53 грн до 9991.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SKM200GAL17E4 22895110 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 248A Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1170A Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|