Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKM200GAL17E4 22895110
SKM200GAL17E4 22895110

SKM200GAL17E4 22895110 SEMIKRON DANFOSS

SKM200GAL17E4-DTE.pdf
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 248A
Pulsed collector current: 1170A
Max. off-state voltage: 1.7kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10264.66 грн
3+8623.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM200GAL17E4 22895110 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Case: SEMITRANS3, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Topology: boost chopper, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 248A, Pulsed collector current: 1170A, Max. off-state voltage: 1.7kV.