Продукція > Транзистори > IGBT > SKM200GB12T4

SKM200GB12T4

Код товару: 177189
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM200GB12T4 за ціною від 10537.14 грн до 14307.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM200GB12T4 22892060 SKM200GB12T4 22892060 SEMIKRON DANFOSS SKM200GB12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 241A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 241A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Version: D56
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14307.96 грн
3+11987.91 грн
5+10537.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB12T4 SKM200GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0002552210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 313A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 313A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB12T4 22892060 SKM200GB12T4.pdf
SKM200GB12T4 22892060
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 241A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 241A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Version: D56
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14307.96 грн
3+11987.91 грн
5+10537.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB12T4 SEMI-S-A0002552210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM200GB12T4
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 313A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 313A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.