Інші пропозиції SKM200GB12T4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM200GB12T4 | Виробник : Semikron |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 313A 7-Pin |
товару немає в наявності |
|
 |
SKM200GB12T4 | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 313A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 313A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
товару немає в наявності |