SKM300GB126D
Код товару: 48867
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM300GB126D
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Max Voltage Vce Sat:2.15V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- SVHC:No SVHC
- Av Current Ic:310A
- Case Style:SEMITRANS 3
- Current Temperature:25`C
- External Depth:61.4mm
- External Width:105mm
- Fixing Centres:93mm
- Fixing Hole Diameter:5.4mm
- Max Current Ic Continuous a:310A
- Max Current Ic Continuous b:200A
- No. of Transistors:2
- Pulsed Current Icm:400A
- Rise Time:110ns
- SMD Marking:SEMITRANS 3
- Termination Type:Screw
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:1200V
- Voltage:1200V
Інші пропозиції SKM300GB126D за ціною від 18004.46 грн до 21578.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM300GB126D 22890633 | SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SKM300GB126D 22890633 |
|
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 21578.23 грн |
| 3+ | 18004.46 грн |