Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKM75GB12V 22892013
SKM75GB12V 22892013

SKM75GB12V 22892013 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CD001F2A3D4469&compId=SKM75GB12V.pdf?ci_sign=3f03daabfe7158d4d33084a77f037731f0184acd Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Mechanical mounting: screw
Version: D61
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6768.01 грн
8+6042.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM75GB12V 22892013 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A, Mechanical mounting: screw, Version: D61, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SEMITRANS2, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 225A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Topology: IGBT half-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKM75GB12V 22892013 за ціною від 7530.11 грн до 8121.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM75GB12V 22892013 SKM75GB12V 22892013 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CD001F2A3D4469&compId=SKM75GB12V.pdf?ci_sign=3f03daabfe7158d4d33084a77f037731f0184acd Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Mechanical mounting: screw
Version: D61
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8121.61 грн
8+7530.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.