Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKM75GB17E4 22895030
SKM75GB17E4 22895030

SKM75GB17E4 22895030 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CE82D5CAC89E28&compId=SKM75GB17E4-DTE.pdf?ci_sign=a5218589caa834ad2f17016b30503f7a38b2ac50 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 510A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6856.26 грн
8+6121.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM75GB17E4 22895030 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SEMITRANS2, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 510A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Topology: IGBT half-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKM75GB17E4 22895030 за ціною від 7628.30 грн до 8227.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM75GB17E4 22895030 SKM75GB17E4 22895030 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CE82D5CAC89E28&compId=SKM75GB17E4-DTE.pdf?ci_sign=a5218589caa834ad2f17016b30503f7a38b2ac50 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 510A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8227.51 грн
8+7628.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.