Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > SM8S30AHE3_A/I
SM8S30AHE3_A/I

SM8S30AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

sm8s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 136A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
750+116.01 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SM8S30AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - SM8S30AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.3V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 36.8V, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 30V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR SM8S Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 48.4V, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SM8S30AHE3_A/I за ціною від 107.84 грн до 350.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SM8S30AHE3_A/I SM8S30AHE3_A/I VISHAY VISH-S-A0007701045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SM8S30AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.90 грн
500+132.86 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S30AHE3_A/I SM8S30AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm8s.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 136A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.38 грн
10+137.98 грн
100+136.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S30AHE3_A/I SM8S30AHE3_A/I VISHAY VISH-S-A0007701045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SM8S30AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.02 грн
10+166.10 грн
100+143.90 грн
500+132.86 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S30AHE3_A/I SM8S30AHE3_A/I Vishay Semiconductors sm8s.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.30 грн
10+228.57 грн
100+146.60 грн
500+115.59 грн
750+107.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S30AHE3_A/I VISH-S-A0007701045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SM8S30AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SM8S30AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+143.90 грн
500+132.86 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S30AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S30AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 136A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+159.38 грн
10+137.98 грн
100+136.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S30AHE3_A/I VISH-S-A0007701045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SM8S30AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SM8S30AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+185.02 грн
10+166.10 грн
100+143.90 грн
500+132.86 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S30AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S30AHE3_A/I
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+350.30 грн
10+228.57 грн
100+146.60 грн
500+115.59 грн
750+107.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.