Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB100N06S2-05
SPB100N06S2-05

SPB100N06S2-05 Infineon Technologies

SP%28B%2CP%29100N06S2-05.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+120.91 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB100N06S2-05 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V.

Інші пропозиції SPB100N06S2-05

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB100N06S2-05 Виробник : INFINEON SP%28B%2CP%29100N06S2-05.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB100N06S2-05 SPB100N06S2-05 Виробник : Infineon Technologies SP%28B%2CP%29100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB100N06S2-05 SPB100N06S2-05 Виробник : Infineon Technologies SP%28B%2CP%29100N06S2-05.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB100N06S205 SPB100N06S205 Виробник : Infineon Technologies MOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.