Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD50N03S2-07 G

SPD50N03S2-07 G Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SPD50N03S2-07 G Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD50N03S2-07 G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SPD50N03S2-07G			на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SPD50N03S2-07G	Виробник : Infineon Technologies	Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SPD50N03S2-07 G	Виробник : Infineon Technologies	Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.