Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ3989EV-T1_GE3
SQ3989EV-T1_GE3

SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq3989ev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.81 грн
6000+12.22 грн
9000+11.66 грн
15000+10.37 грн
21000+10.02 грн
30000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.67W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ3989EV-T1_GE3 за ціною від 13.53 грн до 70.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ3989EV-T1_GE3 SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3989ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.48 грн
100+22.36 грн
500+16.08 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq3989ev.pdf MOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6
на замовлення 173495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.63 грн
10+43.27 грн
100+24.51 грн
500+18.85 грн
1000+17.05 грн
3000+14.64 грн
6000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.47 грн
10+34.48 грн
100+22.36 грн
500+16.08 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6
на замовлення 173495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.63 грн
10+43.27 грн
100+24.51 грн
500+18.85 грн
1000+17.05 грн
3000+14.64 грн
6000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.