Технічний опис SST29EE0201204CNH SST
Память параллельная EEPROM (2M bit (256Kx8), Page-write (128 byte), 120ns, Vcc=4.5-5.5V, 100К циклов, 100 лет, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт.
Інші пропозиції SST29EE0201204CNH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SST29EE020-120-4C-NH | Виробник : SST | 04+ PLCC32 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SST29EE020-120-4C-NH | Виробник : SST | Память параллельная EEPROM (2M bit (256Kx8), Page-write (128 byte), 120ns, Vcc=4.5-5.5V, 100К циклов, 100 лет, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SST29EE020-120-4C-NH | Виробник : Greenliant | NOR Flash 256K X 8 120ns |
товару немає в наявності |
|
 |
SST29EE020-120-4C-NH | Виробник : Microchip Technology | EEPROM |
товару немає в наявності |