STD20N20-T4
Виробник:
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD20N20-T4
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STD20N20-T4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STD20N20T4 | Виробник : ST |
 TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STD20N20T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
STD20N20T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp |
товару немає в наявності |