Продукція > Транзистори > IGBT > STGW60V60DF
STGW60V60DF

STGW60V60DF

stgw60v60df.pdf
Код товару: 107771
Виробник:
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,15 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 60 A
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+195.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGW60V60DF за ціною від 108.12 грн до 442.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+127.01 грн
3000+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+136.08 грн
3000+134.95 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.07 грн
5+199.78 грн
13+188.85 грн
120+181.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.26 грн
30+178.19 грн
120+146.97 грн
510+116.43 грн
1020+108.59 грн
2010+108.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00074810.pdf IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.35 грн
10+197.29 грн
100+119.87 грн
600+114.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.08 грн
5+248.95 грн
13+226.62 грн
120+218.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002499399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+396.67 грн
10+392.47 грн
100+331.96 грн
500+252.06 грн
1000+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+408.54 грн
31+403.06 грн
55+222.95 грн
100+181.68 грн
250+146.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+442.51 грн
10+436.56 грн
25+241.49 грн
100+196.79 грн
250+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF en.DM00074810.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF Виробник : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.