Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA60NC60WDR
STGWA60NC60WDR

STGWA60NC60WDR STMicroelectronics

STGWA60NC60WDR.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 130A 340W TO247
Power - Max: 340 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+574.21 грн
10+474.36 грн
100+395.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA60NC60WDR STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 130A 340W TO247, Power - Max: 340 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Gate Charge: 195 nC, Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STGWA60NC60WDR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWA60NC60WDR STMicroelectronics stmicroelectronics_dm00034603-1206379.pdf IGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60NC60WDR stmicroelectronics_dm00034603-1206379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.