STGWA60NC60WDR

STGWA60NC60WDR STMicroelectronics


STGWA60NC60WDR.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 130A 340W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.86 грн
10+499.69 грн
100+416.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA60NC60WDR STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 130A 340W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns, Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 195 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 340 W.

Інші пропозиції STGWA60NC60WDR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWA60NC60WDR Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_dm00034603-1206379.pdf IGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.