STGWT40H60DLFB STMicroelectronics
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT40H60DLFB STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/142ns, Switching Energy: 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGWT40H60DLFB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT40H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STGWT40H60DLFB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/142ns Switching Energy: 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
товару немає в наявності |