STH285N10F8-2AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STH285N10F8-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 292 A, 1900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 292A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 341W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.