STP80NE03L06
Виробник:
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80NE03L06
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±22V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STP80NE03L06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STP80NE03L-06 | ST |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP80NE03L-06 |
Виробник: ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)

