STW60NM50N STMicroelectronics
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW60NM50N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 68A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW60NM50N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STW60NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STW60NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW60NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 68A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |