Технічний опис TD215N22KOFHPSA1 Infineon Technologies
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 215A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.8V; screw, Max. load current: 410A, Max. forward voltage: 1.8V, Load current: 215A, Semiconductor structure: double series, Gate current: 200mA, Max. forward impulse current: 7kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Case: BG-PB50-1, Max. off-state voltage: 2.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TD215N22KOFHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TD215N22KOFHPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 215A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.8V; screw Max. load current: 410A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 215A Semiconductor structure: double series Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 7kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: diode-thyristor Case: BG-PB50-1 Max. off-state voltage: 2.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
TD215N22KOFHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SCR MODULE 2200V 410A MODULE |
товару немає в наявності |
|
|
|
TD215N22KOFHPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode - thyristor modules Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 215A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.8V; screw Max. load current: 410A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 215A Semiconductor structure: double series Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 7kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: diode-thyristor Case: BG-PB50-1 Max. off-state voltage: 2.2kV |
товару немає в наявності |