Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > TD430N22KOF

TD430N22KOF Infineon Technologies

Infineon_TT430N_DS_v03_40_en_de.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 2200V 800A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TD430N22KOF Infineon Technologies

Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.78V, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Semiconductor structure: double series, Max. off-state voltage: 2.2kV, Load current: 430A, Case: BG-PB60AT-1, Max. forward voltage: 1.78V, Max. forward impulse current: 14kA, Gate current: 250mA, Electrical mounting: screw, Max. load current: 800A, Mechanical mounting: screw.

Інші пропозиції TD430N22KOF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TD430N22KOFHPSA1 TD430N22KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD430N22KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.78V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 430A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 14kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 800A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD430N22KOFHPSA1 TD430N22KOF.pdf
TD430N22KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.78V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 430A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 14kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 800A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.