TGF3015-SM Qorvo
Виробник: QorvoDescription: 0.03-3.0GHZ,10W,32V GAN RF I/P-M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 30MHz ~ 3GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 10W
Gain: 17.1dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 50 mA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 3788.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TGF3015-SM Qorvo
Description: 0.03-3.0GHZ,10W,32V GAN RF I/P-M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 30MHz ~ 3GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 10W, Gain: 17.1dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 16-QFN (3x3), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 50 mA.
Інші пропозиції TGF3015-SM за ціною від 3802.85 грн до 8207.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TGF3015-SM | Виробник : Qorvo |
Description: 0.03-3.0GHZ,10W,32V GAN RF I/P-M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 30MHz ~ 3GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 10W Gain: 17.1dB Technology: HEMT Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 50 mA |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TGF3015-SM | Виробник : Qorvo |
GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|