| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.69 грн |
| 10+ | 44.08 грн |
| 100+ | 26.51 грн |
| 250+ | 26.44 грн |
| 500+ | 22.22 грн |
| 1000+ | 19.27 грн |
| 2000+ | 16.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 40A DP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta).
Інші пропозиції TK40P03M1(T6RSS-Q)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK40P03M1(T6RSS-Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 30V 40A DPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) |
товару немає в наявності |