Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK5R3E08QM,S1X
TK5R3E08QM,S1X

TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.18 грн
50+82.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TK5R3E08QM,S1X за ціною від 57.02 грн до 131.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK5R3E08QM,S1X TK5R3E08QM,S1X Виробник : Toshiba TK5R3E08QM_datasheet_en_20210201-2486517.pdf MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.00 грн
10+120.69 грн
50+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.