Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM080N03EPQ56 RLG
TSM080N03EPQ56 RLG

TSM080N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM080N03E_B15.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
17+18.09 грн
100+17.17 грн
500+16.07 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM080N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM080N03EPQ56 RLG за ціною від 16.33 грн до 20.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM080N03EPQ56 RLG TSM080N03EPQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM080N03E_B15.pdf MOSFETs 30V, 55A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.14 грн
500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03EPQ56 RLG TSM080N03EPQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm080n03e_b15.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03EPQ56 RLG TSM080N03EPQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03E_B15.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.