Технічний опис TSM170N06CH X0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 46W; IPAK SL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 24A, Power dissipation: 46W, Case: IPAK SL, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 15nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM170N06CH X0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM170N06CH X0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 46W; IPAK SL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 46W Case: IPAK SL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
TSM170N06CH X0G | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|
| TSM170N06CH X0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 46W; IPAK SL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 46W Case: IPAK SL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |