TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 545.22 грн |
| 10+ | 485.99 грн |
| 100+ | 349.83 грн |
| 500+ | 304.43 грн |
| 1000+ | 265.71 грн |
| 2000+ | 255.7 грн |
| 4000+ | 251.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.8A, On-state resistance: 0.26Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 32.1W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Case: TO220FP, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60NB260CI C0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM60NB260CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TSM60NB260CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP |
товар відсутній |