Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > TZ810N22KOF

TZ810N22KOF Infineon Technologies

Infineon_TZ810N22KOF_DataSheet_v03_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SCR Modules THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TZ810N22KOF Infineon Technologies

Category: Thyristor modules, Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 819A; BG-PB70AT-1, Type of semiconductor module: thyristor, Semiconductor structure: single thyristor, Max. off-state voltage: 2.2kV, Load current: 819A, Case: BG-PB70AT-1, Max. forward voltage: 1.51V, Max. forward impulse current: 39kA, Gate current: 250mA, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw.

Інші пропозиції TZ810N22KOF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TZ810N22KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TZ810N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 819A; BG-PB70AT-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 819A
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 1.51V
Max. forward impulse current: 39kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ810N22KOFHPSA2 TZ810N22KOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 819A; BG-PB70AT-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 819A
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 1.51V
Max. forward impulse current: 39kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.