Продукція > UNITED SILICON CARBIDE > UJ3C065030K3S
UJ3C065030K3S

UJ3C065030K3S United Silicon Carbide

ds_uj3c065030k3s.pdf
Виробник: United Silicon Carbide
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1149.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C065030K3S United Silicon Carbide

Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 441W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Інші пропозиції UJ3C065030K3S за ціною від 879.27 грн до 1751.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S onsemi UJ3C065030K3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1751.29 грн
30+1077.25 грн
120+944.07 грн
510+879.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Qorvo UJ3C065030K3S_Data_Sheet-3177184.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S ONSEMI 3750905.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S-D.PDF
UJ3C065030K3S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1751.29 грн
30+1077.25 грн
120+944.07 грн
510+879.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S_Data_Sheet-3177184.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S 3750905.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.