Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > US1GHE3_A/I
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

us1_test_dcicons.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+9.91 грн
22500+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис US1GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції US1GHE3_A/I за ціною від 13.16 грн до 48.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
US1GHE3_A/I US1GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.87 грн
50+21.06 грн
100+17.37 грн
500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1GHE3_A/I US1GHE3_A/I Vishay Semiconductors us1_test_dcicons.pdf Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
на замовлення 6284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US1GHE3_A/I us1_test_dcicons.pdf
US1GHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.26 грн
11+28.87 грн
50+21.06 грн
100+17.37 грн
500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1GHE3_A/I us1_test_dcicons.pdf
US1GHE3_A/I
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
на замовлення 6284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.