
VS-1N3766R Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 808.52 грн |
10+ | 686.13 грн |
100+ | 593.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1N3766R Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V.
Інші пропозиції VS-1N3766R
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-1N3766R | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |