VS-80APS16-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 846.41 грн |
| 10+ | 715.48 грн |
| 100+ | 518.82 грн |
| 250+ | 497.30 грн |
| 500+ | 452.81 грн |
| 1000+ | 432.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-80APS16-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 80A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 80A, Supplier Device Package: TO-247AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.17 V @ 80 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V.
Інші пропозиції VS-80APS16-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-80APS16-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 80A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.17 V @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V |
товару немає в наявності |