VS-8ETH06-N3 Vishay Semiconductors
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8ETH06-N3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-8ETH06-N3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8ETH06-N3 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товар відсутній |
|
 |
VS-8ETH06-N3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
товар відсутній |