VS-C40CP07L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 988.65 грн |
| 25+ | 771.11 грн |
| 100+ | 725.73 грн |
| 500+ | 617.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-C40CP07L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-C40CP07L-M3 за ціною від 566.08 грн до 1151.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-C40CP07L-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| VS-C40CP07L-M3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1151.72 грн |
| 10+ | 924.09 грн |
| 100+ | 668.94 грн |
| 500+ | 596.45 грн |
| 1000+ | 566.08 грн |